Компания IBM добилась увеличения объема магнитной памяти в 100 раз. Ученые из Калифорнийской лаборатории при помощи туннельного микроскопа смогли записать в 12 атомов антиферромагнетика 1 бит данных. До этого еще никому не удавалось достичь столь ошеломляющего результата. Для примера, на сегодняшний день в 1 бите данных расположено более 1 млн. атомов.

Особо важным условием является то, что их крайне близко расположили друг к другу, при этом оставив без изменения магнитный момент. Это обещает стать новым прорывом в сфере разработки магнитной памяти.

В основе эксперимента использовались свойства антиферромагнетиков – веществ, в которых направление магнитного поля атомов различается. Их используют при создании записывающих головок жестких дисков и магнитной памяти.

Ведущий специалист IBM по исследованию атомарных структур Андреас Хейнрих отметил: «Полупроводниковая индустрия следует по пути минитюаризации, а мы решили зайти с противоположного конца и заняться изучением единичных атомов, как элемента материи».

Более близкое размещение битов относительно друг друга, позволит увеличить плотность записи в 100 раз по сравнению с современными жесткими дисками и флеш-накопителями. Подобное исследование даст толчок для дальнейшей работы с носителями информации, результаты которой, вероятнее всего, мы увидим в скором будущем.

добавлено: Tigeress